Acoperirea siliconică este un proces de acoperire uniform materiale siliconice de pe suprafața substratului. Este utilizat pe scară largă în electronice, medicale, textile, construcții și alte câmpuri pentru a obține funcții impermeabile, rezistente la umiditate, izolare, lipire și protecție. Există mai multe metode comune de acoperire a siliconului:
Acoperire de raclă
Principiu: Folosiți un racper pentru a răzui uniform lipiciul de silicon pe suprafața substratului în mișcare. Diferența dintre raclet și substrat poate fi ajustată pentru a controla grosimea de acoperire a siliconului.
Caracteristici
Avantaje: Echipamentul are o structură relativ simplă și este convenabil să funcționeze. Se poate adapta la materiale siliconice cu vâscozitate diferită. Gama de ajustare a grosimii acoperirii este largă și poate obține o anumită precizie a acoperirii.
Dezavantaje: În timpul acoperirii de mare viteză, frecarea dintre racletă și substrat poate determina purtarea și afectarea calității acoperirii; Marginea de acoperire poate avea o grosime inegală.
Scenarii de aplicare: este adesea utilizat în ocazii în care cerințele de precizie a acoperirii nu sunt deosebit de mari, dar necesită un anumit control de grosime, cum ar fi o bandă simplă impermeabilă, acoperiri de protecție locală pentru produse electronice obișnuite etc.
Acoperire cu role
Principiu: Transferați cauciucul din silicon pe suprafața substratului prin unul sau mai multe role potrivite. Adezivul este acoperit mai întâi pe role de alimentare și apoi transferat uniform în substrat prin intermediul rolei de transfer.
Caracteristici
Avantaje: Viteza de acoperire rapidă, eficiența ridicată a producției, poate asigura planeitatea și uniformitatea suprafeței de acoperire și este potrivită pentru operațiuni de acoperire continuă și continuă.
Dezavantaje: Costul echipamentului este relativ ridicat, iar precizia de procesare și calitatea suprafeței rolei sunt strict necesare. În caz contrar, dungile de acoperire și problemele de grosime inegale sunt predispuse; Adaptabilitatea substraturilor de diferite forme și dimensiuni este relativ slabă.
Scenarii de aplicare: utilizate pe scară largă în câmpuri de producție pe scară largă, cum ar fi construirea bobinelor impermeabile, acoperiri de protecție pentru ecrane de afișare electronică mari, finisare impermeabilă a textilelor etc.
Acoperire prin pulverizare
Principiu: Utilizați un pistol pulverizat pentru a atomiza lipiciul de silicon și pulverizați -l pe suprafața substratului. Prin controlul parametrilor, cum ar fi presiunea pistolului de pulverizare, diametrul duzei, distanța de pulverizare și unghiul, se realizează controlul grosimii și uniformității acoperirii siliconice.
Caracteristici
Avantaje: Metoda de acoperire este flexibilă și se poate adapta la substraturi de diferite forme și structuri complexe, cum ar fi cochilii de produse electronice în formă specială, piese mecanice neregulate, etc.; Este foarte potrivit pentru unele ocazii în care precizia acoperirii nu este ridicată, dar necesită o acoperire rapidă.
Dezavantaje: rata de utilizare a cauciucului siliconic în timpul procesului de pulverizare este relativ scăzută, ceea ce va provoca anumite împrăștieri și deșeuri, ceea ce crește costurile de producție; Mediul de pulverizare este ridicat, iar echipamentele bune de ventilație și de îndepărtare a prafului este necesară pentru a împiedica praful de silicon să provoace daune operatorilor și mediului.
Scenarii de aplicare: În industria electronică, este adesea utilizat pentru protecția locală a componentelor electronice și a acoperirilor rezistente la umiditate ale plăcilor de circuit; În domeniul fabricării automobilelor, poate fi utilizat pentru impermeabilizarea și tratarea anti-înflorire a pieselor interioare auto.
Acoperirea ecranului
Principiu: Remediați ecranul de pe cadrul ecranului, aplicați presiune pe ecran prin racletă și lăsați cauciucul din silicon să se scurgă prin ochiul ecranului pe suprafața substratului. Modelul și dimensiunea ochiului ecranului determină forma și grosimea acoperirii siliconice.
Caracteristici
Avantaje: Poate realiza o acoperire modelată de înaltă precizie, cu modele clare de acoperire și margini îngrijite, potrivite pentru a face diverse grafice și logo-uri fine; Investiția pentru echipamente este relativ mică, operația este simplă și este potrivită pentru producția de loturi mici și multi-varietate.
Dezavantaje: Viteza de acoperire este lentă, iar eficiența producției este relativ scăzută; Nu este potrivit pentru acoperirea uniformă a zonelor mari; Durata de viață a ecranului este limitată și trebuie înlocuită în mod regulat.
Scenarii de aplicare: În industria electronică, este utilizat pentru a face modele conductive de ecrane tactile, circuite de plăci de circuit flexibile, etc.; În domeniul producției de publicitate, poate fi folosit pentru a face acoperiri locale de diverse semne, afișe promoționale etc.
Acoperire cu slot-die
Principiu: Cauciucul de silicon este strecurat printr -un gol îngust (cap de matriță) și acoperit uniform pe suprafața substratului în mișcare. Prin reglarea lățimii fantei, debitul cauciucului și viteza de rulare a substratului, grosimea acoperirii și lățimea siliconului pot fi controlate cu exactitate.
Caracteristici
Avantaje: Precizia acoperirii este extrem de ridicată, iar controlul grosimii la nivelul nanometrului poate fi obținut. Suprafața de acoperire este foarte plată, fără defecte, cum ar fi dungi și bule; Este potrivit pentru acoperirea cauciucului de silicon cu vâscozitate ridicată, iar viteza de acoperire este rapidă, iar eficiența producției este ridicată.
Dezavantaje: Structura echipamentului este complexă, costul de fabricație este ridicat, iar nivelul tehnic al operatorului trebuie să fie ridicat; Precizia de prelucrare și instalare a capului de matriță cu fante sunt strict necesare, altfel va afecta calitatea acoperirii.
Scenarii de aplicare: utilizate în principal la fabricarea de produse electronice de înaltă performanță, cum ar fi acoperirea pieselor pol de baterii cu litiu-ion, acoperirea filmelor optice de înaltă precizie și protecția la ambalaje a cipurilor semiconductoare.